场效应管功放的新突击——DigitalDoMainB-ld功率JFET纯后级  

作　　者：邱闻 

出　　处：《无线电与电视》2013年第3期31-44,共14页

摘　　要：虽然场效应晶体管（FET，以下简称“场管”）面世的时间（1962年）比双极性晶体管（BJT）只是略晚一些，但在音频放大器中的应用始终没有成为主流，尤其是在功放中。场管在功放中的应用，功率MOSFET（金属一氧化物一半导体场效应管，简称绝缘栅场效应管）又是绝对的主流，功率JFET（结型场效应管）的应用则可以用凤毛麟角来形容，在工业应用领域中也是大致相同的情况。日本的DigitalDoMain算是这少之又少中的一个，当然也不是独此一家，见表l。

关 键 词：功率MOSFET 绝缘栅场效应管 JFET 功放 纯后级 工业应用 场效应晶体管 双极性晶体管 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]