GaN薄膜在自持金刚石衬底上的ECR—PEMOCVD法的生长研究  

作　　者：苗丽华[1] 张东[2] 

机构地区：[1]沈阳医学院计算机与数理基础教学部数理教研室,辽宁沈阳110034 [2]沈阳工程学院新能源学院新能源材料与器件系,辽宁沈阳110136

出　　处：《中国科技信息》2014年第2期42-44,共3页China Science and Technology Information

基　　金：辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374)

摘　　要：利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。

关 键 词：自持金刚石衬底 GAN薄膜 ECR—PEMOCVD 沉积温度 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]