Vishay的Si7655DN-20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖  

出　　处：《电子设计工程》2014年第1期175-175,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：VishayIntertechnology,Inc．宣布其Si7655DN一20VP沟道GenIII功率MOSFET荣获EDNChina2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。

关 键 词：P沟道MOSFET 产品 创新 功率MOSFET 电源器件 INC 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]