优质微晶硅薄膜的光学性质  

Optical Properties of the High-Quality Microcrystailine Silicon Films

作　　者：祝祖送[1] 张杰[1] 江贵生[1] 尹训昌[1] 余春日[1] 

机构地区：[1]安徽省安庆师范学院物理与电气工程学院,安徽省安庆市集贤北路1318号,246011

出　　处：《光谱实验室》2014年第1期64-68,共5页Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory

摘　　要：对以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在低温快速沉积的优质微晶硅薄膜的光学性质进行了研究。拉曼谱表明，微晶硅薄膜的晶化度超过80％；SEM结果表明，晶粒分布较均匀，大小平均为60nm左右；光照实验结果表明，该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定；通过对气流分布进行调节，透射光谱结果表明，微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善，均匀度高达95％。

关 键 词：微晶硅薄膜 光照稳定性 均匀性 等离子体增强化学气相沉积 

分 类 号：O433[机械工程—光学工程] O657.37[理学—光学]