新型低开关损耗QFET功率MOSFET及应用  

作　　者：毛兴武 许海东 

出　　处：《世界电子元器件》2000年第12期44-46,共3页Global Electronics China

摘　　要：快捷半导体推出称为QFET系列的新一代功率MOSFETs,具有低通导电阻(R_(DS_(on)))和低栅极电荷(Q_g),因而产生较小的开关损耗,从而提高开关电源(SMPS)的效率,改善SMPS的性能。

关 键 词：低开关损耗 QFET 功率 MOSFET 场效应管 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]