CoSi_2薄膜内应力的微观机制研究  

作　　者：刘继峰[1] 冯嘉猷[1] 朱静[1] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,北京100084

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》2001年第2期163-167,共5页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:59831040)

摘　　要：通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi_2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi_2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.

关 键 词：CoSi2薄膜 内应力 电子密度 价键理论 薄膜材料 微观机制 

分 类 号：O484.2[理学—固体物理] TB43[理学—物理]