刘继峰

作品数：2被引量：6H指数：2
导出分析报告
供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
发文主题：离子注入应力价键理论电子密度内应力更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《自然科学进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究被引量：5
《自然科学进展》2002年第12期1296-1300,共5页王若楠 刘继峰 冯嘉猷 
国家自然科学基金(批准号:50171035)
根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简...
关键词：C^+离子注入 CoSi2薄膜 本征应力 原子表面电子密谋 TFD模型 二硅化钴薄膜 
CoSi_2薄膜内应力的微观机制研究被引量：3
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》2001年第2期163-167,共5页刘继峰 冯嘉猷 朱静 
国家自然科学基金(批准号:59831040)
通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi_2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi_2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.
关键词：CoSi2薄膜 内应力 电子密度 价键理论 薄膜材料 微观机制 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部