C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究  

作　　者：王若楠[1] 刘继峰[1] 冯嘉猷[1] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,北京100084

出　　处：《自然科学进展》2002年第12期1296-1300,共5页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50171035)

摘　　要：根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称 RTA)形成二硅化钴(CoSi_2)薄膜,发现薄膜中的应力随C^+离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C^+离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较。

关 键 词：C^+离子注入 CoSi2薄膜 本征应力 原子表面电子密谋 TFD模型 二硅化钴薄膜 

分 类 号：O484.2[理学—固体物理] TN305[理学—物理]