冯嘉猷

作品数：16被引量：40H指数：3
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发文主题：小尺寸ZNSE单晶薄膜硒化锌薄膜生长更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信环境科学与工程更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》《江苏大学学报（自然科学版）》《自然科学进展》更多>>
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CdS/TiO_2复合半导体薄膜的制备及其光催化性能被引量：18
《环境科学研究》2009年第1期95-98,共4页万李 冯嘉猷 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(2007CB36600)
以微弧氧化法制备出锐钛矿型TiO2,进而以化学水浴法沉积CdS,通过调控时间,制备CdS/TiO2复合半导体薄膜.X射线检测表明,微弧氧化所制备的TiO2为锐钛矿结构,化学水浴法制备的CdS主要以离子离子的方式沉积在TiO2薄膜上.SEM及可见光催化降...
关键词：微弧氧化 TIO2薄膜 CDS薄膜 光催化活性 
镍诱导纳米晶硅薄膜的生长被引量：1
《江苏大学学报（自然科学版）》2007年第2期123-126,共4页冯嘉猷 何悦 毕磊 
国家自然科学基金资助项目(50571050)
采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜.对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析.结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强...
关键词：纳米晶硅 金属镍诱导 薄膜 光致发光 磁控溅射 分相 
铜铟硒薄膜太阳能电池的几个基础问题研究被引量：8
《物理》2006年第11期957-960,共4页蒋方丹 冯嘉猷 
文章简述了铜铟硒(CIS)薄膜电池的性能特点和研究现状,重点提出了影响其规模化推广的几个基础问题,包括:射频溅射法直接制备CIS薄膜、省略硒化工艺的问题;ZnO替代CdS作为CIS薄膜电池的缓冲层材料的问题;Na+离子对CIS薄膜及电池性能的作...
关键词：铜铟硒 薄膜电池 ZnO缓冲层 Na^+作用 
C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究被引量：5
《自然科学进展》2002年第12期1296-1300,共5页王若楠 刘继峰 冯嘉猷 
国家自然科学基金(批准号:50171035)
根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简...
关键词：C^+离子注入 CoSi2薄膜 本征应力 原子表面电子密谋 TFD模型 二硅化钴薄膜 
CoSi_2薄膜内应力的微观机制研究被引量：3
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》2001年第2期163-167,共5页刘继峰 冯嘉猷 朱静 
国家自然科学基金(批准号:59831040)
通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi_2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi_2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.
关键词：CoSi2薄膜 内应力 电子密度 价键理论 薄膜材料 微观机制 
反应离化团束（RICB）法生长CN硬质薄膜被引量：1
《材料研究学报》1996年第5期525-528,共4页谢俊清 冯嘉猷 郑毅 
国家自然科学基金
用反应离化团束（ＲＩＣＢ）法，以低分子量聚乙烯为蒸发材料，氨气为反应气体，在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１００）衬底上淀积Ｃ—Ｎ薄膜。透射电子衍射（ＴＥＭ）分析表明薄膜中含有β—Ｃ３Ｎ４晶粒，Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和...
关键词：离化团束 C-N薄膜 薄膜 
CN薄膜结构特性的研究被引量：2
《物理学报》1996年第6期1068-1072,共5页冯嘉猷 龙春平 张芳伟 郑毅 范玉殿 
国家自然科学基金资助的课题
利用离化团束(ICB)方法在Si(111)衬底上生长了CN薄膜。X光衍射(XRD)分析表明薄膜呈β-C_3N_4晶态结构,X射线光电子能谱(XPS)测定薄膜含N量为20％,并且观察到C1_s和N1_s芯能级谱中存在双峰。红外吸收光谱呈现C—N和C≡N的吸收峰。高能反...
关键词：薄膜 CN膜 结构 XRD ICB 
离子束溅射制备Co/Pt多层膜的结构和磁性
《真空科学与技术》1995年第2期92-96,共5页许思勇 赵怀志 冯嘉猷 李文治 
采用离子束溅射技术制备了Co／Pt多层膜，并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度（tCo）或Pt层厚度（tPt）的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的（002）织构，Pt层表现出fcc结构的（111）织构。当Co层和Pt层都比较薄时，界面有Co-P...
关键词：离子束溅射 钴/铂多层膜 磁矫顽力 结构 磁性 
在GaAs(100)衬底上离化团束外延ZnSe单晶薄膜
《真空科学与技术》1994年第6期405-410,共6页张芳伟 冯嘉猷 郑毅 范毓殿 
ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料，用于制作发光器件有较大的应用前景，采用单源喷发、离化原子团束（ICB）技术在GaAs（100）上外延ZnSe单晶薄膜，并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和...
关键词：硒化锌 薄膜沉积 外延 离化团束 
离化原子团束外延ZnSe单晶薄膜被引量：3
《清华大学学报（自然科学版）》1994年第6期96-99,共4页张芳伟 冯嘉猷 郑毅 范毓殿 
本文报道了用离化原子团束（ＩＣＢ）技术在ＧａＡｓ（１００）上外延ＺｎＳｅ单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和ＲＨＥＥＤ研究了外延ＺｎＳｅ单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线...
关键词：离化原子团束 外延 硒化锌 单晶 薄膜 
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