GaSb单晶空间生长  

作　　者：葛培文[1] 西永颂 李超荣[1] 霍崇儒[1] 中村卓义 黄卫东 A.E.Voloshin A.A.Lomov 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所 [2]Department of Electronics Engineering,The University of Tokyo731,llongo,BunkyoKu,Tokyo113,Japan [3]Institute of Crystallography,Russian Academy of Sciences,Leninsky Prospect59 117333Moscow,Russia

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第1期56-62,共7页Science in China(Series A)

基　　金：中国科学院基金

摘　　要：空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境 ,为提高晶体质量创造了条件 ,引起晶体生长研究人员的关注 .中国科学院物理研究所和日本东京大学电子工程系合作 ,1 992年在中国第 1 4颗返回式卫星上成功地生长了一根 6mm× 30mm外形完整的GaSb单晶 .对空间生长的晶体的研究显示 :晶体在空间生长部分无Ⅰ类生长条纹 ,表明晶体生长时既无自然对流也没有Marangoni对流 .位错密度测定表明 ,晶体在空间生长期间熔体未与坩埚器壁接触时生长的晶体位错密度接近于零 ,而熔体与坩埚器壁接触后位错密度迅速增高 .详细叙述了该晶体的生长和研究 ,分析了微重力对晶体生长的影响 ,并对空间晶体生长的发展提出看法 .

关 键 词：锑化镓 半导体 单晶生长 空间 微重力 返回式卫星 半导体材料 

分 类 号：O78[理学—晶体学]