基底材料对沉积氮化钛薄膜及其性能的影响  

Basal Material Impact on Nitride Thin Films the Deposition of Titanium and Their Properties

作　　者：付淑英[1] 

机构地区：[1]韩山师范学院物理与电子工程系,广东潮州521041

出　　处：《中国材料科技与设备》2014年第1期10-12,共3页Chinese Materials Science Technology & Equipment

摘　　要：研究了利用直流反应磁控溅射法，以Si—P（111）和Si—P（100）两种不同Si片做基底，对制备TiNx薄膜性能的影响。结果表明，以Si--p（111）为基底制备的TiNx薄膜性能优于Si--p（100）基底，表现在颗粒更细润，XRD衍射峰峰形更明锐且与TiNx的衍射峰不会重叠。因而，选用p--Si（111）做基底沉积氮化钛薄膜，可满足制备光学薄膜质量方面的要求。Studied by dc reactive magnetron sputtering method, with Si -- p and Si （111） -- p （100）, two different Si do base, affect the performance of TiNx thin film preparation. Results show that Si -- of the preparation of p （111） as the basal TiNx film performance is better than that of Si -- p （100）, the performance in the particles more renew, more Octavia and XRD diffraction fengfeng shape with TiNx diffraction peak do not overlap. Therefore, choose p -- Si （111） basal deposited titanium nitride thin films, can meet the requirements of the preparation of optical thin film quality.

关 键 词：基底材料 氮化钛薄膜 薄膜性能 沉积 直流反应磁控溅射法 薄膜质量 衍射峰 SI 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]