带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵  

High Power GaAs/AlGaAs (λ=808nm) Laser Diode Arrays with Non-injection Regions Near the Facets

作　　者：方高瞻[1] 肖建伟[1] 马骁宇[1] 谭满清[1] 刘宗顺[1] 刘素平[1] 冯小明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心,北京100083

出　　处：《高技术通讯》2000年第12期9-11,共3页Chinese High Technology Letters

基　　金：国家杰出青年基金资助项目

摘　　要：报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高 4 0 %。器件在连续 15W下恒功老化 ,工作寿命超过 50 0 0h。The fabrication and the test results of GaAs/AlGaAs (λ=808nm) laser diode arrays with 25μm long non injection regions near both facets are reported. 1cm monolithic laser diode arrays with a 17% filled factor provide a maximum continuous wave output power of 87W at a heatsink temperature of 25℃. The catastrophic optical damage (COD) level is 40% higher than that of the arrays without non injection regions. One of the laser diode arrays has been operated for 5000h at a power level of 15W.

关 键 词：非注入区 COD GAAS/ALGAAS 激光二级管列阵 腔面 固件激光器 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]