基于CMOS SOI工艺的射频开关设计  

RF Switch Design Based on CMOS SOI Technology

作　　者：蒋东铭[1] 陈新宇[1] 许正荣[1] 张有涛[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,国博电子有限公司,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第2期142-145,162,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻波比≤1.5:1,输入功率1dB压缩点达到33dBm,IP3达到42dBm。可应用于移动通信系统。A single-pole double-through（SPDT） RF switch has been designed and fabricated using 0.18 μm CMOS SOI technology. It integrates switch circuits, drivers and ESD protect circuits. The measurement results are as follows： in the frequency range of DC-6 GHz, insertion loss≤0.7 dB@2 GHz, 41 dB@4 GHz,≤1. 5 dB@6 GHz; isolation≥37 dB@2 GHz, ≥31 dB@ 4 GHz, ≥27 dB@6 GHz, input and output VSWS≤1. 5.1 within 5 GHz, input 1 dB compression point P-1db≥33 dBm, IP3≥42 dBm. This switch is applicable for mobile communication system.

关 键 词：互补金属氧化物半导体 绝缘衬底上硅 射频开关 驱动器 集成 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]