Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究  

Simulation Study on Charge Storage Characteristics of Ge/Si Nanocrystal Memory

作　　者：杨红官[1] 施毅[1] 卜惠明[1] 吴军[1] 赵波[1] 张荣[1] 沈波[1] 韩平[1] 顾书林[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室210093

出　　处：《固体电子学研究与进展》2001年第1期63-68,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家教育部博士点专项基金;江苏省自然科学基金! (No.BK990 49)资助项目

摘　　要：这一研究工作模拟计算了 Ge/ Si复合纳米结构 MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明 ,Ge/ Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现 μs和 ns量级编程。与 Si纳米结构存储器相比 ,由于 Ge/ Si复合势阱的作用 ,器件的电荷保留时间提高了 3～ 5个量级 ,有效地解决了快速擦写编程与长久存储之间的矛盾 ,使器件的性能得到明显改善。In this work, the write/erase and retention times of Ge/Si nanocrystal MOSFET memory are simulated numerically. It is demonstrated that the proposed device can achieve the programming in the order of μs or ns at low voltage. Owing to the hetero energy bands, compared with Si nanocrystal memory, the retention time of the device is increased to 3～5 orders. The trade off between the speed programming and long retention can be efficiently solved, and the performance is substantially improved.

关 键 词：锗 硅 纳米结构 存储器 数值模拟 电荷存储特性 复合材料 MOSFET 

分 类 号：TN368.1[电子电信—物理电子学] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]