激光干涉光刻法制备二氧化硅光子晶体抗反射膜  

作　　者：陈辰[1] 钟金祥 洪荣墩[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理与机电工程学院物理系,福建省厦门市361005

出　　处：《电子技术与软件工程》2014年第9期121-123,共3页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61307047)(No.61176049)。

摘　　要：为了研究制备二氧化硅(SiO2)光子晶体抗反射膜,采用激光干涉光刻法与电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术制备进行实验。激光干涉光刻法可实现灵活、快速制备大面积周期纳米结构,而ICP刻蚀具有良好的各向异性,扫描电子显微镜的图片(SEM)表明两种实验工艺制备的SiO2光子晶体形貌良好。通过自制的测量平台,实现测量不同入射角度的入射光对光子晶体的透过率,测量结果说明了光子晶体对1170nm的入射光有较好的增透效果。有效折射率可以解释光子晶体在响应波长处增透减反的成因。SiO2光子晶体的成功制备在工艺与理论上为以后应用于光电器件的抗反射膜提供了参考。

关 键 词：非线性光学 激光干涉光刻法 光子晶体 ICP 刻蚀 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]