以硅片直接键合（SDB）为基础的新高压IC驱动器工艺  

作　　者：Nakag.,A 张昌利 

出　　处：《国外电力电子技术》1991年第2期10-13,共4页

关 键 词：硅片键合 高压驱动器 MOSFET 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]