高深宽比微细结构的涂胶技术研究  

作　　者：郭旭红 陈和峰 姚艳林 武浩 李慧娟 

机构地区：[1]淮海工业集团有限公司

出　　处：《信息系统工程》2014年第5期72-73,共2页

基　　金：国防基础科研项目(No.A0920110013;A2220132002)

摘　　要：MEMS封装及应用技术对在高深宽比结构上进行光刻的工艺有着迫切需求,而为实现高深宽比结构上的光刻,就需要在这类结构上涂覆实现均匀的光刻胶层。这就需对待涂覆的微细结构、所涂覆光刻胶的性质以及涂胶方式等进行研究。根据对已有的三种光刻胶涂覆技术:旋涂法、电沉积法和喷涂法的分析对比,重点探索利用喷涂法实现高深宽比微细结构的涂胶技术研究。并对MEMS领域中普遍存在的V型槽进行了喷胶法的实验研究。实验结果表明:利用喷胶技术在高深宽比结构上涂覆光刻胶,能起到非常大的均匀性平整作用,基本可满足V型槽光刻胶均匀性覆盖的技术问题。

关 键 词：光刻 喷胶 台阶涂覆 MEMS 晶片级封装 

分 类 号：TH-39[机械工程] TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]