高温贮存寿命评估试验  

Assessment of IC Reliability in Long Storage Life Test

作　　者：管光宝[1] 凌勇[1] 俞浩新 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035

出　　处：《电子与封装》2014年第5期37-41,共5页Electronics & Packaging

摘　　要：元器件分别进行常温储存试验和高温贮存试验,通过常温储存试验累积试验数据并以此研究总结元器件长期储存性能参数变化规律和失效模式。通过高温贮存试验加速元器件常温储存过程累积试验数据,根据关键参数随加速试验的变化情况,得到高温贮存条件相对常温储存条件的加速因子,根据加速因子得到加速贮存试验的时间,在该高温点下进行相应时间的加速贮存试验。试验结果即为常温特定年限储存寿命的预计结果,从而在较短的时间内对元器件长期储存寿命做出评定。Steady temperature storage to devices was conducted in normal and high temperature, in which procedure, collect device’s electrical parameters after enduring steps, simulate the changing figure in comparison with factor of storage time, analyze the failure modes. accelerating factor can be gotten in the experimental indeed. Temperature’s accelerating effects and effectiveness will be used to evaluate long storage device’s life, and ifnally aimed to qualiifed device’s real storage life in accelerating modes.

关 键 词：长期贮存寿命 失效模式 高温 

分 类 号：TN306[电子电信—物理电子学]