GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长  

Growth of GaSb/GaAs Heterojunction Thermal Photovoltaic Cells by MBE

作　　者：郝瑞亭[1,2] 郭杰[1] 刘颖[1] 缪彦美 徐应强[2] 

机构地区：[1]云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092 [2]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《人工晶体学报》2014年第5期1076-1079,1085,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(61006085;61176127);国家国际科技合作重点项目(2011DFA62380);教育部博士点基金(20105303120002);云南省社会发展科技计划(2009CD045)

摘　　要：利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量。GaSb thin films were grown on GaAs（001 ） substrates by Molecular Beam Epitaxy （MBE）, and their thermal annealing process of GaSb films was investigated. The crystalline quality, electrical properties and optical properties were studied by high resolution transition electron microscopy （ HRTEM ）, atomic force microscopy （AFM） Hall measurement and low temperature photoluminescence spectra （LTPL）, respectively. It was found that the GaSb films directly grown on GaAs substrates have smooth surface and high hole mobility. Rapid thermal annealing eliminate the defects such as dislocations, significantly improve the of GaSb films by 30 s, 650℃ can optical quality of GaSb thin films.

关 键 词：GASB 热光伏电池 分子束外延(MBE) 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]