半导体纳米结构中的库仑阻塞现象  

Coulomb Blockade in Semiconductor Nanostructures

作　　者：郑厚植[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《物理》1992年第11期646-653,共8页Physics

摘　　要：库仑阻塞效应是近年来固体物理中的研究热点之一．扼要介绍了金属隧道结及半导体量子点中的库仑阻塞现象的基本特性，库仑阻塞与电子态尺寸量子化之间的相互影响，量子点旋转门器件（ＱＤＴＳ）的原理和其他潜在的应用前景．Recently, Coulomb blockade has been forming a hot topic in condensed matter physi-cs. In the present article we aim to give a brief introduction to the basic features of Co-ulomb blockade in metal tunneling junctions and semiconductor quantum dots, the intera-ction between Coulomb blockade and size quantization of electronic states, the operating mechanism of quantum dot turnstiles (QDTS), and other potential applications.

关 键 词：库仑阻塞 半导体材料 纳米结构 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]