PIN结构GaN基α粒子探测器的设计  

Design of PIN Structure GaN-based α Particle Detector

作　　者：黄河[1,2] 朱志甫[1,2] 王仁波[1,2] 魏雄[1,2] 彭新村[1,2] 邹继军[1,2] 

机构地区：[1]东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,江西南昌330013 [2]东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西南昌330013

出　　处：《东华理工大学学报（自然科学版）》2014年第2期245-248,共4页Journal of East China University of Technology(Natural Science)

基　　金：核技术应用教育部工程研究中心资助项目(HJSJYB2010-16);国家自然科学基金项目(11265001);江西省自然科学基金重点项目(20133ACB20005);江西省教育厅青年科学基金项目(GJJ14501)

摘　　要：根据Bragg公式及L.S.S理论,计算分析了241Am放射性源在GaN及合金材料中的射程及能量损失比,利用SRIM模拟仿真241Am在GaN中的射程及能量损失比,得出了最佳PIN结构中I层的厚度,优化设计了GaN基α粒子探测器的PIN结构,为MOCVD技术制备PIN结构GaN基α粒子探测器提供了理论依据和实验参考数据。According to Bragg formula and L.S.S theory,the calculation analyzes the range and energy loss ot ^241 Am radioactive source in GaN and Ni/Au alloy material of device electrode in PIN structure,uses SRIM to simulate the range and energy loss of ^241 Am in GaN,and figures out the best thickness of I layer in PIN structure.It optimizes the design of PIN structure GaN-based α particle detector,and provides a theoretical basis and experimental reference data for MOCVD technology to prepare PIN structure GaN-based α particle detector.

关 键 词：GAN PIN Α粒子 射程 

分 类 号：TL817.2[核科学技术—核技术及应用]