反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究  

作　　者：张兴[1] 石涌泉[1] 黄敞[1] 

机构地区：[1]陕西微电子学研究所,临潼710600

出　　处：《半导体技术》1992年第6期41-44,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。

关 键 词：SOI 器件 边缘寄生效应 刻蚀工艺 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]