MOS器件及电路的总剂量辐射效应测试技术  

Measurement of total dose effects on MOS devices and circuits

作　　者：王桂珍[1] 张正选[1] 姜景和[1] 姚育娟[1] 

机构地区：[1]西北核技术研究所,陕西西安710024

出　　处：《半导体技术》2001年第4期57-60,64,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍了半导体器件与电路的总剂量辐射效应及其测试技术。主要分析了ＭＯＳ器件的效应机理、总剂量效应试验模拟源以及各种模拟源辐射环境的测量方法。最后给出了部分实验结果，并对其进行了讨论。The measurements of total dose effects of electronic devices and circuits are presented in this paper. Mechanisms of total dose effects in MOS circuits, radiation sources, and some investigation of dosimetry are studied respectively. Some results are given and discussed.

关 键 词：辐射效应 MOS器件 总剂量 半导体器件 测试技术 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]