巨磁电阻随机存取存储器  

Giant Magnetoresistance Random Access Memory

作　　者：颜冲[1] 于军[1] 王耘波[1] 周文利[1] 谢基凡[1] 高俊雄[1] 周东祥[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074

出　　处：《电子元件与材料》2001年第2期21-22,共2页Electronic Components And Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(69801003)

摘　　要：用巨磁电阻(GMR)材料制成的磁电子学新器件，已开始在计算机存储领域成功地获得应用。对巨磁电阻用于计算机随机存取存储器的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势作了阐述。New magneto-electric components made from giant magnetoresistance (GMR) materials have been successfully applied to computer memories. A brief description is given of its principle, performances, features and further development. (21 refs.)

关 键 词：巨磁电阻 随机存取存储器 非易失性 

分 类 号：TP333.8[自动化与计算机技术—计算机系统结构]