光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量  

Optical proximity correction for improving pattern quality in submicron photolithography

作　　者：石瑞英[1] 郭永康[2] 

机构地区：[1]四川大学物理系,四川成都610064 [2]中科院微电子中心,北京100010

出　　处：《半导体技术》2001年第3期20-26,共7页Semiconductor Technology

基　　金：中科院光电所做细加工光学技术国家重点实验室基金;国家自然科学基金项目编号!(69907003);教育部博士点基金资助项目

摘　　要：论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。In this paper, the development of optical proximity correction technique is preserted. The various methods of optical proximity correction for improving the lithography pattern quality are discussed. The function and the position of optical proximity correction on lithography technology in future are analyzed.

关 键 词：亚微米光刻 光学邻近效应 光学邻近校正 图形质量 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]