光学邻近校正

作品数：27被引量：52H指数：4
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相关作者：史峥严晓浪王国雄杜惊雷陈志锦更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司三星电子株式会社浙江大学国际商业机器公司更多>>
相关期刊：《光学学报》《微电子学》《重庆工商大学学报（自然科学版）》《激光技术》更多>>
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基于深度学习的端到端掩模优化任务
《重庆工商大学学报（自然科学版）》2024年第6期39-48,共10页汤府鑫 徐辉 
国家自然科学基金项目资助(62027815,62274052,61404001)。
目的 针对光刻系统与特征尺寸不匹配导致的光刻图案与掩模图案严重偏差的问题,提出了一个基于深度学习的端到端掩模优化框架TransU-ILT。方法 该框架使用CNN-Transformer的混合模型作为特征提取模块提取目标布局的深度特征,在特征重构...
关键词：掩模优化 光学邻近校正 深度学习 计算光刻 
光学邻近校正技术专利现状
《中国科技信息》2024年第3期46-49,共4页马泽宇 刘振玲 张思秘 
本文针对OPC技术,对相关专利申请的申请量趋势、地域分布情况、全球主要申请人排名、中美转让的专利申请趋势和技术发展路线等进行了梳理与分析,指出中国主要芯片制造企业在OPC技术方面进行了大量的专利布局,但其OPC技术服务主要来自国...
关键词：OPC技术 专利布局 AI技术 专利申请 研发合作 技术实力 技术发展路线 供应链 
北理工与明导合作创建光电联合实验室
《电子产品世界》2014年第7期19-19,共1页
不久前．Mentor Graphjcs（明导）公司宣布在北京理工大学光电学院新建一所光电联合实验室。作为双方协议的一部分。明导将资助课程开发、研究生学位课程专业研讨会和相关研究，并使北京理工大学光电学院毕业的学生能深入了解前沿光电...
关键词：光电技术 联合实验室 北京理工大学 分辨率增强技术 合作 光学邻近校正 课程开发 研究生 
使用测试图形法优化亚分辨率辅助图形
《华东理工大学学报（自然科学版）》2012年第3期365-369,共5页齐晶 史峥 林斌 罗凯升 
国家"十一五"高端通用芯片科技重太专项(2008ZX01035-001-06)
在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合...
关键词：可制造性设计 光刻 亚分辨率辅助图形 光学邻近校正 
基于光刻模型的光学邻近校正切分优化方法被引量：1
《计算机工程》2011年第23期211-213,225,共4页沈泫 史峥 
"核高基"重大专项(2008ZX01035)
在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获...
关键词：光学邻近校正 基于模型的切分 纹波抑制 格点搜索 
一种新的带有线段与控制点映射模型的光学邻近校正技术被引量：2
《光学学报》2010年第6期1667-1672,共6页杨祎巍 史峥 
国家自然科学基金(60720106003)资助课题
在基于光刻模型的光学邻近校正(MB-OPC)中,线段与控制点的映射关系是影响校正结果的一个重要因素。现有的线段与控制点的映射关系均是基于规则的,或者是精度较差的一对一映射关系,或者是计算速度较慢的全对一映射关系。提出了一种新的...
关键词：成像系统 光刻 光学邻近校正 映射模型 
双重图形技术的优化设计
《机电工程》2008年第12期35-38,共4页潘意杰 陈晔 
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解...
关键词：可制造性设计 双重图形技术 光学邻近校正 分辨率增强技术 重用 
基于光刻模型的动态自适应切分OPC被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1422-1427,共6页杨祎巍 史峥 严晓浪 陈晔 
光学邻近校正（OPC）技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方（recipe）,但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波...
关键词：光学邻近校正 可制造型设计 动态切分 光刻模型 
集成电路版图中的多边形匹配比较研究
《机电工程》2007年第10期32-35,共4页史峥 高晓莹 任杰 施怡雯 
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提...
关键词：可制造性设计 光学邻近校正 分辨率增强技术 多边形匹配比较 
纳米时代的可制造性设计被引量：2
《微电子学》2007年第4期532-537,共6页付本涛 郑学仁 
集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后,制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大,使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性,以及建立可制造性设计机制中的多方合作...
关键词：集成电路 可制造性设计 分辨率增强 工艺可变性 光学邻近校正 化学机械抛光 
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