用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜  

Epitaxial Growth of CeO_2 Thin Films on Si(111)by IBD

作　　者：黄大定[1] 秦复光[1] 姚振钰[1] 刘志凯[1] 任治璋 林兰英[1] 高维滨[1] 任庆余 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所理化分析实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第2期153-157,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明显的氧化铈（１１１），（２２２）峰，半高宽≤２３″。Abstract Epitaxial cerium dioxide thin films have been grown on Si (111) substrates by Mass-Analyzed Low Energy Dual ion Beam Deposition (IBD) Technique. The films are of 2000 A in thickness and good stoichiometry with homogeneous distribution of cerium and oxygen components. The measurements of X-ray double crystal diffraction show clear and sharp peaks of CeO2 (111) and (222) with FWHM≤23″.

关 键 词：氧化铈薄膜 硅 IBD 外延生长 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TN304.12[理学—物理]