高维滨

作品数：5被引量：13H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GAN氮化镓IBD硅MOCVD生长更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《仪器仪表学报》更多>>
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在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究
《Journal of Semiconductors》1998年第9期656-660,共5页黄大定 高维滨 吴正龙 张建辉 刘志凯 
ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１０...
关键词：氮化镓 锑化镓 低能双离子束 沉积 IBD 
GaN的MOCVD生长被引量：9
《Journal of Semiconductors》1995年第11期831-834,共4页陆大成 汪度 王晓晖 董建荣 刘祥林 高维滨 李成基 李蕴言 
ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍...
关键词：氮化镓 MOCVD生长 半导体材料 
用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜被引量：4
《Journal of Semiconductors》1995年第2期153-157,共5页黄大定 秦复光 姚振钰 刘志凯 任治璋 林兰英 高维滨 任庆余 
采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明显的氧化...
关键词：氧化铈薄膜 硅 IBD 外延生长 
Si晶格常数超高精度传递测量中的标准晶体及制备
《Journal of Semiconductors》1991年第7期435-440,共6页高维滨 
用XROI(X-Ray/Optics Interferometry)法测得高精度的Si(220)面间距,22.5℃为192015.902±0.019 fm.并发展了晶格常数超高精度测量传递方法.本文根据传递测量的原理及测量技术阐明了对标准晶体制备的要求.文中给出了我们的标准晶体的尺...
关键词：硅晶格 测量 标准晶体 制造 
弹性弯曲支承计算机辅助设计
《仪器仪表学报》1991年第2期180-185,共6页高维滨 
弹性弯曲支承,因无摩擦、无间隙而广泛的应用于陀螺仪、火箭控制喷口,精密仪器中约有数千种应用。本文偏重于它在高精度平移台及测角头中的应用,用它构成的平移台精度可达10^(-11)～10^(-12)m,测角头转角精度则可达10^(-3)s。尽管弹性...
关键词：弹性弯曲支承 仪器仪表 CAD 支承 
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