在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究  

Preliminary Study on Growth of c GaN on GaSb Substrate

作　　者：黄大定[1,2,3] 高维滨[1,2,3] 吴正龙[1,2,3] 张建辉[1,2,3] 刘志凯[1,2,3] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 [2]中国科学院半导体研究所理化分析实验室 [3]北京师范大学

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第9期656-660,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以得到：它们的晶格失配度为４．６６％，ＧａＳｂ是已采用生长ｃ－ＧａＮ衬底材料中较好的一种．Abstract It is verified by means of AES, XPS and XRD that films of zinc blende structure c GaN have been grown on GaSb(001) substrate by Low Dual Ion Beam Deposition (IBD) Technique. The results of X ray Φ scan show that the matched film/substrate growth relationship is c GaN //GaSb . The lattice mismatch is 4 66%. GaSb is a better substrate material used for growing c GaN than others.

关 键 词：氮化镓 锑化镓 低能双离子束 沉积 IBD 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]