大跨导n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管  

High Transconductance n-Type Si/SiGe Modulation-Doped Field-Effect Transistors

作　　者：K.Ismail 赵旭霞 

出　　处：《半导体情报》1993年第2期55-57,共3页Semiconductor Information

摘　　要：报道了第一支0.25μm栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果。器件用于超高真空/化学汽相淀积(UHV/CVD)制作的器件,在300K(77K)下,应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500(9500)cm^2/V·s和2.5×10^(12)(1.5×10^(10))cm^(-2)。器件电流和跨导分别为325mA/mm和600mS/mm。这些值远优于Si MESFET,它们可与所获得的GaAs/Al-GaAs调制掺杂晶体管的结果相媲美。

关 键 词：场效应晶体管 调制掺杂 

分 类 号：TN386.6[电子电信—物理电子学]