Φ6″CZSi热系统的改造对原生缺陷密度的影响  

作　　者：任丙彦[1] 张志成[1] 刘彩池[1] 郝秋艳[1] 王猛[1] 

机构地区：[1]河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津300130

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第7期639-643,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9876 0 0 6 );河北省重大攻关项目 (批准号 :0 0 2 135 0 2D)

摘　　要：在大直径CZSi单晶生长时 ,热场与氩气流场通过影响晶体与熔体的温度分布来影响硅单晶中缺陷的形成 .通过变单晶炉的普通热系统为以矮加热器为主的复合式热系统 ,改普通氩气流场为可控氩气流场 ,得到了原生缺陷密度不同的硅单晶 ,并通过对氩气流场的模拟分析 ,较好地解释了实验结果 .

关 键 词：原生缺陷 热场 氩气流场 数值模拟 硅单晶 CZSi热系统 集成电路 晶体生长 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]