王猛

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：数值模拟氧碳硅硅单晶生长更多>>
发文领域：电子电信交通运输工程化学工程电气工程更多>>
发文期刊：《科学技术与工程》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金河北省重大科技攻关项目更多>>
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直径200mm太阳能CZSi复合式热场的数值模拟
《科学技术与工程》2003年第1期58-61,共4页任丙彦 王猛 刘彩池 王海云 霍秀敏 左燕 
国家自然科学基金(69876006);河北省重大科技攻关项目(00213502D)
用直径18英寸复合式热系统生长了直径200mm的太阳能CZSi单晶,计算机数值模拟分析表明,该热系统能降低熔硅纵向温度梯度,从而有效抑制熔体的热对流,并增加了熔硅与坩埚的边界层厚度,减少了SiO的熔入,降低了硅中氧、碳的含量,数值模拟对...
关键词：太阳能CZSi复合式热场 数值模拟 太阳能电池 光电转换 控制方程 有限元方法 
硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1416-1419,共4页任丙彦 张志成 刘彩池 郝秋燕 王猛 
国家自然科学基金( 6 9876 0 0 6 );河北省重大科技攻关 ( 0 0 2 135 0 2 D)资助项目~~
通过对 40 6 m m热场中氩气的流动方式及流速进行调整 ,得到了氧碳含量不同的硅单晶 ,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来 ,对实验结果进行了分析 。
关键词：氩气流动 数值模拟 氧碳含量 硅 单晶生长 
Φ6″CZSi热系统的改造对原生缺陷密度的影响
《中国科学（A辑）》2001年第7期639-643,共5页任丙彦 张志成 刘彩池 郝秋艳 王猛 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9876 0 0 6 );河北省重大攻关项目 (批准号 :0 0 2 135 0 2D)
在大直径CZSi单晶生长时 ,热场与氩气流场通过影响晶体与熔体的温度分布来影响硅单晶中缺陷的形成 .通过变单晶炉的普通热系统为以矮加热器为主的复合式热系统 ,改普通氩气流场为可控氩气流场 ,得到了原生缺陷密度不同的硅单晶 ,并通过...
关键词：原生缺陷 热场 氩气流场 数值模拟 硅单晶 CZSi热系统 集成电路 晶体生长 
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