硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响  

Effects of Argon Gas Flow Rate on Oxygen and Carbon Concentration in CZSi Crystals

作　　者：任丙彦[1] 张志成[2] 刘彩池[1] 郝秋燕 王猛[1] 

机构地区：[1]河北工业大学半导体材料研究所,天津300130 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第11期1416-1419,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金( 6 9876 0 0 6 );河北省重大科技攻关 ( 0 0 2 135 0 2 D)资助项目~~

摘　　要：通过对 40 6 m m热场中氩气的流动方式及流速进行调整 ,得到了氧碳含量不同的硅单晶 ,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来 ,对实验结果进行了分析 。By modifying the pattern and velocity of argon flow,the silicon crystals with different oxygen and carbon contents are obtained.Through numeric simulation,the streamline of argon gas flow is plotted for the first time,with the optimum condition of argon flow with the lowest oxygen and carbon content obtained.

关 键 词：氩气流动 数值模拟 氧碳含量 硅 单晶生长 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]