纳米晶氧化锡薄膜的接触特性  

Contact properties of nanometer SnO_2 thin films

作　　者：王占和[1] 郝群[2] 祝侃[1] 蒋煜婧[1] 

机构地区：[1]北京理工大学电子工程系,北京100081 [2]北京理工大学光电工程系,北京100081

出　　处：《光学技术》2001年第4期346-347,共2页Optical Technique

基　　金：国家留学回国人员科研启动基金资助项目

摘　　要：在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0～ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻。Nanometer tin oxide transparent conducting thin films are grown by the method of the direct current magnetron sputtering in a mixture gas of Ar and O 2, and substrate temperature 150～400℃. In this paper, the contact properties of the films are characterized by transmission line model. The sheet resistance and specific contact resistance of nanometer SnO2 thin films are measured. The adhesive strength between the electrodes and SnO 2 thin films is investigated by scratch test after annealing.

关 键 词：氧化锡薄膜 纳米晶 电极 传输线模型 接触特性 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] O484[理学—固体物理]