祝侃

作品数：3被引量：7H指数：1
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供职机构：北京理工大学更多>>
发文主题：纳米晶磁控溅射SNO传输线模型接触特性更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《光学技术》更多>>
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衬底温度对纳米晶SnO_2薄膜结晶特性的影响
《微纳电子技术》2002年第4期19-21,共3页王占和 蒋耘晨 祝侃 
阐述了金属氧化物SnO2纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜。通过测定x射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[2...
关键词：纳米晶 结晶特性 二氧化锡薄膜 衬底温度 
纳米晶氧化锡薄膜的接触特性被引量：2
《光学技术》2001年第4期346-347,共2页王占和 郝群 祝侃 蒋煜婧 
国家留学回国人员科研启动基金资助项目
在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0～ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻。
关键词：氧化锡薄膜 纳米晶 电极 传输线模型 接触特性 
纳米晶SnO_(2)透明导电薄膜的研制被引量：7
《光学技术》2001年第1期22-23,26,共3页王占和 郝群 祝侃 
国家留学回国人员科研启动基金资助项目(367-3)
阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术 ,使用混合气体Ar和O2 ,在衬底温度为 15 0～ 40 0℃的耐热玻璃基片上制备纳米晶SnO2 :Sb透明导电薄膜 ,通过测定X射线衍射谱 ,表明薄膜择优取向为 [11...
关键词：磁控溅射 SNO_(2)薄膜 导电特性 光学透过率 
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