衬底温度对纳米晶SnO_2薄膜结晶特性的影响  

Influence of substrate temperature of nanocrystalline SnO_2 thin films

作　　者：王占和[1] 蒋耘晨[1] 祝侃[1] 

机构地区：[1]北京理工大学电子工程系,北京100081

出　　处：《微纳电子技术》2002年第4期19-21,共3页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：阐述了金属氧化物SnO2纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜。通过测定x射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向,SnO2∶Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化。Nanocrystalline transparent conducting thin films is made by the method of the direct current magnetron sputtering in a mixture gas of Ar and O 2 ,and substrate temperature150～400℃.The films showed preferred orientation inandplane by x-ray diffraction.The crystalline properties of nanocrystalline SnO 2 ∶Sb thin films depends on the substrate temperature is discussed.

关 键 词：纳米晶 结晶特性 二氧化锡薄膜 衬底温度 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]