新型功率混合集成电路材料——氮化铝(AlN)  

AlN-A New Material for Power Hybrid Integrated Circuits

作　　者：毛寒松[1] 王传声[1] 崔嵩[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第43研究所,安徽合肥230000

出　　处：《微电子技术》2001年第3期46-49,共4页Microelectronic Technology

摘　　要：本文主要介绍了AlN的成瓷工艺 ,金属化方法、特性及在新型电子元器件中的应用示例 ,AlN在功率电子领域有望取代BeO ,成为本世纪大量应用的主导电子材料。AlN Powder sintering process,metallization method and some examples in application to the new electronic components are described in the paper.It has been proven that BeO may be replaced by AIN in power electronic field with great promise,and AIN will become a dominating material in mass application.

关 键 词：功率混合集成电路 氮化铝 封装材料 

分 类 号：TN45[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.2