检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:曹宝成[1] 于新好[1] 马瑾[1] 马洪磊[1] 刘忠立[2]
机构地区:[1]山东大学光电材料与器件研究所,济南250100 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083
出 处:《Journal of Semiconductors》2001年第9期1226-1229,共4页半导体学报(英文版)
摘 要:目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表明 ,它们的去污效果基本相当 .但对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术优于标准 RCA清洗技术 .A new semiconductor cleaning technique is reported using the clean detergent containing surfactants and chelates.The cleaning effects with two techniques are compared with each other including the silicon surface chemical composition that is observed with X-ray photoelectron spectra,and the morphology observed with the atomic force microscope.The measurement results show that the new technique as effective as the RCA standard clean technique,while considering the impact of the surface roughness on silicon wafer cleaning,the new technique is more effective than the RCA standard system.Moreover,the two techniques are of the carbon contamination in equal quantity.
分 类 号:TN305.97[电子电信—物理电子学]
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