红移高功率大失谐驻波光场原子光刻  

Atom Lithography in Red Far Detuning High Power Standing Wave

作　　者：曾庆林[1] 霍芸生[1] 蔡惟泉[1] 王育竹[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学开放实验室,上海201800

出　　处：《光学学报》2001年第8期918-922,共5页Acta Optica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (696780 0 9;197740 60 );上海市科学技术发展基金 (97JC140 0 2 )资助课题

摘　　要：研究了红移大失谐驻波光场在高功率的情况下对原子束的聚焦特性 ,数值结果显示在激光功率较高的情况下 ,有实现原子光刻的可能。在单线功率输出为P =7W ,光斑尺寸为w0 =0 .1mm的Ar+ 离子激光束的条件下 ,Cr原子束在置于焦平面处的基板上所沉积的条纹半高宽度为 2 0nm左右 ,对比度为 4～ 5。提出了用增强腔来提高条纹对比度和减小色差的办法。在势阱深度增强 2 5 0 0倍时 ,沉积的条纹半高宽度为 5nm～ 10nm ,对比度约为 7。The focusing properties of a red far-detuning high-power standing wave for a thermal atomic beam are studied through numerical simulation. The result shows that this type of standing wave is possible to be used for atom-lithography. The FWHM of the line width deposited on the substrate at the focal plane of the thermal atomic beam is about 20 nm, the contrast is 4-5, with beam waist ω0=0.1 mm, power P=7 W respectively. A proposal of using enhanced cavity to increase the line contrast to 7 and decrease the FWHM of the line width to 5 nm-10 nm is put forward.

关 键 词：红移大失谐驻波光场 增强腔 原子光刻 

分 类 号：O431.2[机械工程—光学工程]