离子注入Al_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs的Raman光谱研究  

作　　者：刘丕均[1] 夏曰源[1] 刘向东[1] 卢贵武[1] 

机构地区：[1]山东大学物理系,济南250100

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第9期851-856,共6页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :19975 0 3 0 )

摘　　要：0 .8MeV的Si离子注入Al0 .2 5 Ga0 .75 As/GaAs外延薄膜的弱损伤特征 .注入剂量从 1× 1 0 14 ～ 5× 1 0 15 cm-2 ,对注入后的样品采用了Raman光谱测量 ,观察到了两类声子模式 ,该外延材料的晶格振动显示出“双模”行为 .并计算了在注入层中的应变以及晶格常数随剂量的变化 .此外还测量了样品的Rutherford背散射和沟道谱(RBS/C) ,结果表明与Raman光谱测量一致的结论 :该注入条件只引起材料的弱损伤行为 .

关 键 词：离子注入 掺杂 RAMAN光谱 Routherford散射测量 晶格应力 AlCaAs薄膜 半导体材料 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]