高密度等离子体工艺总体模型初探  

PRELIMINARY STUDY OF WHOLE MODELING FOR HIGH DENSITY PLASMA PROCESSING

作　　者：杨银堂[1] 李爱军[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,西安710071

出　　处：《核聚变与等离子体物理》2001年第1期7-12,共6页Nuclear Fusion and Plasma Physics

基　　金：国防科技预研基金资助项目 !( 99J8 3 2DZ0 137);教育部"跨世纪优秀人才基金"资助项目

摘　　要：介绍了与高密度等离子体工艺相关的模型和数值模拟方法 ,即连续流和动力学方法。在漂流 扩散方程的连续流模型和单元粒子 蒙特卡罗碰撞动力学模型的基础上 ,提出了一个等离子体工艺模型。讨论了对等离子体鞘层、等离子体刻蚀和淀积过程的模拟方法 。Methods in modeling and numerical simulation for the high density plasma processing are introduced,namely,continuous and kinetic methods.Based on the drift diffusion equations as an example of a continuum model and particle in cell/Monte Carlo collision kinetic model,a plasma processing model is proposed.Simulations of the plasma sheath and the process of plasma etching and deposition are discussed.A preliminary scheme of whole modeling for high density plasma processing is presented.

关 键 词：等离子体 数值模拟 等离子体工艺 连续流动力学 总体模型 等离子体源 

分 类 号：O539[理学—等离子体物理] TL629.1[理学—物理]