提高功率晶体管封装性能的技术措施  

Technique to improve the performance for power bipolar transistor

作　　者：张德骏[1] 苗庆海[1] 张兴华[1] 曹红 贾颖 

机构地区：[1]山东大学物理系,山东济南250100 [2]北京东方半导体器件厂,北京100016 [3]中国航空机载设备北京中兴高技术公司,北京100086

出　　处：《半导体技术》2001年第8期74-78,共5页Semiconductor Technology

基　　金：自然科学基金资助项目(69676038)

摘　　要：在对功率晶体管封装方式进行技术分析的基础上，提出了一种改善功率晶体管封装性能的技术措施，并介绍了利用这种技术措施研制的功率晶体管的功能特征。The technique in improving the packaging performance of the power bipolar transistor is introduced in this paper. The characteristics of the power bipolar transistor made by this technique are also discussed.

关 键 词：功率晶体管 封装方式 技术措施 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]