二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理  

Quick Deposition and Consolidation of Silica Thick Films

作　　者：吴远大[1] 邢华[1] 卓仲畅[1] 余永森[1] 郑伟[1] 刘国范[1] 张玉书[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,长春130023

出　　处：《吉林大学自然科学学报》2001年第4期53-56,共4页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Jilinensis

基　　金：国家 973项目资助 (批准号 :G2 0 0 0 36 6 0 2 )

摘　　要：采用火焰水解法 ( FHD)在 Si片上快速淀积出 Si O2 厚膜材料 ,材料膜厚 40 μm以上 ,生长速率 8μm/ min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理 ,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料 .利用 XRD,SEM,电子显微镜等仪器对 Si O2The SiO 2 thick films were deposited on silicon substrate by flame hydrolysis deposition (FHD). The thickness of the films was up to 40 μm, and the deposition speed was as high as 8 μm per minute. Then, the films were consolidated in electric furnaces both in vacuum and air ambience. Finally, the silica films were analyzed by means of XRD, SEM, microscopy, etc.

关 键 词：火焰水解法 高温致密化 玻璃态 二氧化硅厚膜材料 半导体 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]