钇改性PZT薄膜的极化印刻研究  

Imprint Properties of Yttrium Modified PZT Thin Films

作　　者：仇萍荪[1] 罗维根[1] 丁爱丽[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海200050

出　　处：《无机材料学报》2001年第5期928-932,共5页Journal of Inorganic Materials

基　　金：国家"863"高技术(715-002-008)资助;国家自然科学基金(59995200)

摘　　要：铁电ＰＺＴ薄膜的极化印刻（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）是ＰＺＴ不挥发存储器失效的重要原因之一．本文研究了不同钇量改性的ＰＺＴ（４０／６０）铁电薄膜在高温（１２０℃）和偏置电压下的极化印刻特性，发现适量的钇掺杂，改善了ＰＺＴ薄膜电容器单元的极化印刻．Imprint failure is one of the important failure mechanisms for PZT nonvolatile memories. The imprint properties of Y-dopped PZT(40/60) thin films at bias voltages and a temperature of 120 degreesC were investigated. The results obtained show that the imprint-resistant properties of the PZT thin films are enhanced by a suitable Y dopant concentration.

关 键 词：铁电薄膜 Y-PZT薄膜 极化印刻 铁电电容 存储器 材料 钇 改性 掺杂 

分 类 号：TM53[电气工程—电器] TM221[一般工业技术—材料科学与工程]