利用紫外激光以及H_2O_2和HF的混合溶液对硅片进行光化学蚀刻  

作　　者：杨杰[1] 刘焰发[1] 村原正隆 

机构地区：[1]中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室,广州510275 [2]东海大学工学部

出　　处：《科学通报》2001年第20期1751-1754,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：广东省自然科学基金(批准号:990220);国家自然科学基金(批准号:60078018)资助项目.

摘　　要：讨论了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的方法，使用过氧化氢和氟化氢混合水溶液作为化学媒质，分别使用１９３ｎｍ准分子激光和２６６ｎｍ四倍频固体Ｎｄ︰ＹＡＧ激光作为光源．实验结果显示，可以不需要任何抗蚀膜，直接在硅表面进行图案蚀刻．对于１９３ｎｍ波长，在Ｈ２Ｏ２／ＨＦ质量比为１．３时，得到最佳蚀刻深度．在２９ｍＪ·ｃｍ～（－２）能量密度和１００００个脉冲照射下，得到２１０ｎｍ的蚀刻深度．在相同条件下，使用Ｈ２Ｏ２与ＨＦ混合液时的蚀刻深度大约是使用Ｈ２Ｏ与ＨＦ混合液时的４倍．对于２６６ｎｍ波长，在Ｈ２Ｏ２／ＨＦ　质量比为２时，　得到最佳蚀刻深度．　在１２ｍＪ·ｃｍ～（－２）能量密度和３００００个脉冲照射下，得到４２０ｎｍ的蚀刻深度．

关 键 词：紫外激光 过氧化氢 H2O2 光化学蚀刻 氟化氢 硅片 半导体制造业 蚀刻深度 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]