PtSi/p-Si异质薄膜研究的新进展  

New progress in research on PtSi/p-Si heterogenous films

作　　者：李雪[1] 殷景华[1] 

机构地区：[1]哈尔滨理工大学,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《半导体情报》2001年第5期22-27,共6页Semiconductor Information

摘　　要：综述了 Pt Si/p- Si异质薄膜近年来研究的新进展 ,包括 Pt Si/p- Si的制备工艺、相形成与分布、Pt Si/p- Si界面的微结构、价电子结构以及 Pt Si/p- Si肖特基势垒的研究现状 ,并且探讨了 Pt Si/p- Si的发展方向。In this paper,new progress in research on PtSi/p Si heterogenous films is reviewed,including the preparing techniques,phase formation and distribution,microstructure and valence electronic structures of the interface,Schottky barrier height of PtSi/p Si.Some viewpoints for development direction of PtSi/p Si in future are discussed.

关 键 词：异质薄膜 微结构 硅 PTSI/P-SI 半导体材料 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]