PTSI/P-SI

作品数:6被引量:1H指数:1
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硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响
《半导体光电》2008年第4期516-519,共4页白雪平 李华高 熊平 李立 陈红兵 
利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50...
关键词:红外肖特基势垒探测器 表面处理 PTSI 截止波长 
磁控溅射PtSi/p-Si纳米薄膜组织结构的研究
《稀有金属材料与工程》2003年第9期707-710,共4页殷景华 蔡伟 李美成 赵连城 
采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃~600℃退火。原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相分布由Pt-Pt2Si-PtSi变为Pt+Pt2Si+PtSi-PtSi。
关键词:PTSI 薄膜 表面形貌 组织结构 
利用X射线光电子谱对PtSi/p-Si(111)的电子结构研究
《哈尔滨理工大学学报》2001年第5期108-111,共4页李雪 殷景华 
利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的 PtSi/ p-Si异质薄膜,采用X射线光电子讲(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成由表面到界面为Pt,Pt_2Si,PtSi,材底温度的升高与沉积薄Pt膜有利...
关键词:X射线光电子谱 电子结构 介电子谱 PTSI/P-SI 硅化铂 光电子学 硅基光电材料 过渡金属硅化物  薄膜 
PtSi/p-Si异质薄膜研究的新进展
《半导体情报》2001年第5期22-27,共6页李雪 殷景华 
综述了 Pt Si/p- Si异质薄膜近年来研究的新进展 ,包括 Pt Si/p- Si的制备工艺、相形成与分布、Pt Si/p- Si界面的微结构、价电子结构以及 Pt Si/p- Si肖特基势垒的研究现状 ,并且探讨了 Pt Si/p- Si的发展方向。
关键词:异质薄膜 微结构  PTSI/P-SI 半导体材料 
纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究被引量:1
《功能材料》2001年第4期415-416,共2页刘爽 宁永功 陈艾 刘俊刚 杨家德 李昆 
用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P Si( 10 0 )上溅射的Pt膜 ,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性。通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响 ,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法 ,制备出 4nm连续薄膜。
关键词:红外探测器 PtSi薄膜 纳米级 退火 
PtSi/p-Si肖特基势垒红外探测器的研制
《固体电子学研究与进展》1994年第4期342-346,共5页李国正 李道全 刘恩科 张浩 
国家863课题
介绍了PtSi/p-Si肖特基势垒红外探测器(简称IR-SBD)的优化结构及探测机理,给出了探测器的光增益模型,并对器件进行了制作及性能测试。器件在77K下,反偏4V时的反向漏电流为5×10(-6)μA,对1.52μ...
关键词:PTSI IR-SBD 红外探测器 
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