硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现  

CMOS realization of the input stage of the preamplifier for Si-based photodetector

作　　者：梁恩主[1] 冯军[2] 郑婉华[1] 王志功[2] 陈良惠[1] 

机构地区：[1]中科院半导体研究所工程中心,北京100083 [2]东南大学射光所,江苏南京210096

出　　处：《半导体技术》2001年第9期1-2,16,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍前置电路对光电探测器性能的影响和给出一种适用于硅基光电探测器前置放大电路的输入级ＣＭＯＳ实现。We will bring forward a new input stage based on Si CMOS technology, which can be employed in the preamplifiers for Si optodetectors.

关 键 词：光电集成电路 CMOS 光电探测器 前置放大电路 硅基 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN722