Fe-N软磁薄膜的结构和性能  

作　　者：周剑平[1] 李丹[1] 顾有松[1] 赵春生 常香荣[1] 李福燊[1] 乔利杰[1] 田中卓[1] 方光旦[2] 宋庆山[2] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系,北京100083 [2]中国科学院计算技术研究所,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》2002年第2期132-140,共9页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:19392300;19890310)

摘　　要：用RF溅射制备厚度为200nm的Fe-N薄膜在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%~7%(原子百分数)范围内形成a′+a″相时,4πMs可达2.4T,Hc<80A/m,2~10MHz下高频相对导磁率μr=1500,可满足针对10Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.Fe-N系薄膜中a′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的a′相有明显的差别,得到了薄膜中a′相的a,c与C_N^a′之间的线性关系式.

关 键 词：Fe-N系 磁性薄膜 软磁薄膜 结构 性能 硬盘 磁头材料 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]