CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”  

作　　者：柴春林[1] 杨少延[1] 刘志凯[1] 廖梅勇[1] 陈诺夫[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《科学通报》2001年第18期1511-1513,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号: G2000036505).

摘　　要：利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.

关 键 词：CeO2/Si薄膜 PL谱 “紫移” 二氧化铈/硅薄膜 光致发光谱 薄膜结构 离子价态 

分 类 号：O657.3[理学—分析化学]